Η Apple θα αλλάξει από τη χρήση TLC (κυψέλη τριπλού επιπέδου) NAND flash σε MLC (κυψέλη πολλαπλών επιπέδων) NAND flash στα iPhone 6 και iPhone 6 Plus αφού οι χρήστες έχουν έμπειρος προβλήματα συντριβής και βρόχου εκκίνησης με τις εκδόσεις υψηλότερης χωρητικότητας και των δύο συσκευών, Αναφορές BusinessKorea .
Πηγές είπαν στην εφημερίδα ότι η εταιρεία μνήμης flash Anobit, την οποία η Apple εξαγόρασε το 2011, ευθύνεται για τα κατασκευαστικά ελαττώματα. Η Apple φέρεται να μεταβεί σε MLC NAND flash για το iPhone 6 64 GB και το iPhone 6 Plus 128 GB, και θα αντιμετωπίσει επίσης προβλήματα crash και boot loop με την κυκλοφορία του iOS 8.1.1. Η Apple έχει χρησιμοποιήσει το MLC NAND flash στο παρελθόν, σε iPhone προηγούμενης γενιάς.
Το TLC NAND flash είναι ένας τύπος μνήμης flash NAND στερεάς κατάστασης που αποθηκεύει τρία bit δεδομένων ανά κελί. Μπορεί να αποθηκεύσει τρεις φορές περισσότερα δεδομένα από κελιά ενός επιπέδου (SLC) που αποθηκεύει ένα bit δεδομένων και 1,5 φορές περισσότερα από τη μνήμη flash στερεάς κατάστασης κυψελών πολλαπλών επιπέδων (MLC) που αποθηκεύει δύο bit δεδομένων. Επιπλέον, το φλας TLC είναι πιο προσιτό. Ωστόσο, είναι επίσης πιο αργό από το SLC ή το MLC στην ανάγνωση και εγγραφή δεδομένων.
Η Apple κυκλοφόρησε την πρώτη της έκδοση iOS 8.1.1 beta στους προγραμματιστές νωρίτερα αυτή την εβδομάδα, αν και η εταιρεία δεν διευκρίνισε εάν οι συμπεριλαμβανόμενες διορθώσεις σφαλμάτων αντιμετώπιζαν προβλήματα βρόχου εκκίνησης και σφαλμάτων στα iPhone 6 και iPhone 6 Plus. Συνιστάται στους χρήστες που αντιμετωπίζουν έναν ασυνήθιστο αριθμό βρόχων εκκίνησης και σφαλμάτων με το iPhone 6 ή το iPhone 6 Plus να φέρουν τις συσκευές τους πίσω σε ένα κατάστημα λιανικής της Apple για αντικατάσταση.
Δημοφιλείς Αναρτήσεις